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FDP16AN08A0

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FDP16AN08A0
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FDP16AN08A0参数：MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：400
系列：PowerTrench®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：75V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：58A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：16毫欧@58A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：42nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1857pF@25V
功率-最大值：135W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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