FDP18N20F参数：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013标准包装：50系列：UniFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：145毫欧@9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1180pF@25V功率-最大值：100W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220
