FDR8508P参数：MOSFET P-CH 30V 3A SSOT-8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 3A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：750pF @ 15V功率 - 最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：8-SSOT，SuperSOT-8供应商器件封装：8-SSOT