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FDS4435BZ

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FDS4435BZ 优势库存
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ON
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FDS4435BZ-F085
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FDS4435BZ-NL
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FDS4435BZ
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3.9mm-8P
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FairchildSemic..
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8-SOIC（3.9mm）
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FDS4435BZ(P/B)
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FDS4435BZN
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SOP-8
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SOP8
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相关型号： FDS4435A FDS4435 FDS4410A FDS4410 FDS4141_F085 FDS4141

FDS4435BZ
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FDS4435BZ参数：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@8.8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：40nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1845pF@15V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN

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