FDS4435BZ参数：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007标准包装：2,500系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@8.8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：40nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1845pF@15V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
