FDS4770参数：MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009标准包装：2,500系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：13.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.5毫欧@13.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：67nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2819pF@20V功率-最大值：1.2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN