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FDS6675A

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FDS6675A-NL 优势库存

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深圳市跃创科技有限公司

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相关型号： FDS6675 FDS6673BZ_F085 FDS6673BZ FDS6673AZ FDS6672A FDS6670AS

FDS6675A
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FDS6675A参数：MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：34nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2330pF @ 15V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N

FDS6675A

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