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FDS6675BZ

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相关型号： FDS6675A FDS6675 FDS6673BZ_F085 FDS6673BZ FDS6673AZ FDS6672A

FDS6675BZ
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FDS6675BZ参数：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：13毫欧@11A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：62nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2470pF@15V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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