FGA40N65SMD参数:IGBT 650V 80A TO-3P
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路PCNAssembly/Origin: WaferFabrication04/Feb/2013标准包装:30系列:-包装:管件IGBT类型:场截止电压-集射极击穿(最大值):650V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):2.5V@15V,40A电流-集电极(Ic)(最大值):80ACurrent-CollectorPulsed(Icm):120A功率-最大值:349WSwitchingEnergy:1.08mJ输入类型:标准GateCharge:119nCTd(on/off)A25°C:12ns/92nsTestCondition:400V,40A,6欧姆,15V反向恢复时间(trr):42ns封装:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P