FGD3N60LSDTM-T

FGD3N60LSDTM
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FGD3N60LSDTM参数：IGBT N-CH 600V FOR HID APP DPAK

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：1.5V@10V，3A
电流-集电极(Ic)（最大值）：6A
Current-CollectorPulsed(Icm)：25A
功率-最大值：40W
SwitchingEnergy：250µJ(开),1mJ(关)
输入类型：标准
GateCharge：12.5nC
Td(on/off)A25°C：40ns/600ns
TestCondition：480V,3A,470欧姆,10V
反向恢复时间(trr)：234ns
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D-Pak