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FQP50N06L

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相关型号： FQP50N06 FQP4P40 FQP4P25 FQP4N90C FQP4N90 FQP4N80

FQP50N06L
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FQP50N06L参数：MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：52.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：21毫欧@26.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：32nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1630pF@25V
功率-最大值：121W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

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