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GT60N321

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GT60N321(Q)
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GT60N321(Q)参数：IGBT 1000V 60A TO-3P LH

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：100
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1000V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.8V @ 15V，60A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A
Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
功率 - 最大值：170W
Switching Energy：-
输入类型：标准
Gate Charge：-
Td (on/off) A 25°C：330ns/700ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：800ns
封装：TO-3PL
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P（LH）

GT60N321

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