HCT7000M

HCT7000M
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HCT7000M参数：MOSFET N-CH 60V 200MA SMD

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：25
系列：-
包装：散装
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：60pF @ 25V
功率 - 最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：3.18mm x 2.67mm x 1.37mm
供应商器件封装：-