HCT7000M参数：MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：25系列：-包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：200mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：60pF @ 25V功率 - 最大值：300mW安装类型：表面贴装封装：3.18mm x 2.67mm x 1.37mm供应商器件封装：-
