HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS
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HGT1S20N35G3VLS参数：IGBT ESD N-CHAN 350V TO-263AB

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
PCNObsolescence： PDN#Q108016517/Jan/2008
标准包装：50
系列：-
包装：管件
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：380V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.8V@5V，20A
电流-集电极(Ic)（最大值）：20A
Current-CollectorPulsed(Icm)：-
功率-最大值：150W
SwitchingEnergy：-
输入类型：逻辑
GateCharge：28.7nC
Td(on/off)A25°C：-
TestCondition：-
反向恢复时间(trr)：-
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-263AB