IPG20N06S3L-35参数:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告: ProductDiscontinuation26/Nov/2010标准包装:5,000系列:OptiMOS™包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):55V电流-连续漏极(Id)(25°C时):20A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):35毫欧@11A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V@15µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):23nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1730pF@25V功率-最大值:30W安装类型:表面贴装封装:8-PowerTDFN供应商器件封装:PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)