IPG20N06S3L-35参数：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Nov/2010标准包装：5,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@11A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@15µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：23nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1730pF@25V功率-最大值：30W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
