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IRF2903Z

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相关型号： IRF2807ZSTRRPBF IRF2807ZSTRR IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRL IRF2807ZSPBF IRF2807ZS

IRF2903ZLPBF
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IRF2903ZLPBF参数：MOSFET N-CH 30V 75A TO-262

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRF2903ZLPBFSaberModel IRF2903ZLPBFSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：75A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.4毫欧@75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@150µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：240nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：6320pF@25V
功率-最大值：231W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：TO-262

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