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IRF6100

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相关型号： IRF610 IRF5852TRPBF IRF5852TR IRF5851TRPBF IRF5851TR IRF5850TRPBF

IRF6100
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IRF6100参数：MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF6100SaberModel IRF6100SpiceModel
标准包装：6,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：65毫欧@5.1A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1230pF@15V
功率-最大值：2.2W
安装类型：表面贴装
封装：4-FlipFet?
供应商器件封装：4-FlipFet?

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