IRF6100PBF参数：MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRF6100SaberModel IRF6100SpiceModel标准包装：6,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：65毫欧@5.1A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1230pF@15V功率-最大值：2.2W安装类型：表面贴装封装：4-FlipFet?供应商器件封装：4-FlipFet?
