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IRF640NPBF

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IRF640NPBF
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IRF640NPBF参数：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：150毫欧@11A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：67nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1160pF@25V
功率-最大值：150W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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