IRF640N参数：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 11A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：67nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1160pF @ 25V功率 - 最大值：150W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
