IRF6607TR1参数：MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： (EP)Parts25/May/2012标准包装：1,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：27A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.3毫欧@25A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：75nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6930pF@15V功率-最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等容MT供应商器件封装：DIRECTFET?MT
