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IRF6604TR1

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相关型号： IRF6604 IRF6603TR1 IRF6603 IRF6602 IRF6601 IRF644STRRPBF

IRF6604TR1
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IRF6604TR1参数：MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： (EP)Parts25/May/2012
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11.5毫欧@12A，7V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2270pF@15V
功率-最大值：2.3W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容MQ
供应商器件封装：DIRECTFET?MQ

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