IRF6604TR1参数：MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： (EP)Parts25/May/2012标准包装：1,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11.5毫欧@12A，7V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2270pF@15V功率-最大值：2.3W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等容MQ供应商器件封装：DIRECTFET?MQ
