IRF6616TRPBF参数:MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源: IRF6616SaberModel IRF6616SpiceModel标准包装:4,800系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):40V电流-连续漏极(Id)(25°C时):19A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):5毫欧@19A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.25V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):44nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):3765pF@20V功率-最大值:2.8W安装类型:表面贴装封装:DirectFET?等容MX供应商器件封装:DIRECTFET?MX