IRF6617TR1PBF参数：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)产品目录绘图： IRHexfetCircuit IRHexfetCircuit设计资源： IRF6617SaberModel IRF6617SpiceModel标准包装：1,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.1毫欧@15A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1300pF@15V功率-最大值：2.1W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等容ST供应商器件封装：DIRECTFET?ST
