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IRF6631TR

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IRF6631TR1 优势库存
IOR
QFN54
2023+
3179
全新进口原装现货，即时发货
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IRF6631TR1PBF
Infineon Techn..
DIRECTFET? SQ
2023+
500
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IRF6631TRPBF
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DirectFETtra..
2023+
1250
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3200
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IRF6631TR
InternationalR..
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2023+
6000
品质保证,价格优惠
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IRF6631TR1
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2023+
6000
品质保证,价格优惠
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IRF6631TR1PBF
IR
DirectFETSQ
2023+
5278
全新进口原装现货,保证质量
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IRF6631TR1
IOR
QFN54
2023+
2321
工厂配单，价格优势
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IRF6631TRPBF
IR
原厂原包装
2023+
23207
全新原装现货，价格优惠
IRF6631TRPBF
IR
DirectFET-2
2023+
26000
晶体管
IRF6631TR1
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QFN/5*4
2023+
14566
原装现货，假一赔十
相关型号： IRF6629TRPBF IRF6629TR1PBF IRF6628TRPBF IRF6628TR1PBF IRF6626TRPBF IRF6626TR1PBF

IRF6631TR1PBF
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IRF6631TR1PBF参数：MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
产品目录绘图： IRHexfetCircuit IRHexfetCircuit
设计资源： IRF6631TR1PBFSaberModel IRF6631TR1PBFSpiceModel
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：13A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.8毫欧@13A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1450pF@15V
功率-最大值：2.2W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容SQ
供应商器件封装：DIRECTFET?SQ

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