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IRF6629TRPBF

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相关型号： IRF6629TR1PBF IRF6628TRPBF IRF6628TR1PBF IRF6626TRPBF IRF6626TR1PBF IRF6626TR1

IRF6629TRPBF
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IRF6629TRPBF参数：MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
产品目录绘图： IRHexfetCircuit
设计资源： IRF6629TR1PBFSaberModel IRF6629TR1PBFSpiceModel
标准包装：4,800
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：29A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.1毫欧@29A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：51nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4260pF@13V
功率-最大值：2.8W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容MX
供应商器件封装：DIRECTFET?MX
配用：IRDC3622S-ND-BOARDEVALUATIONW/IR3622MPBFIRDC3622D-ND-BOARDEVALW/IR3622MPBFDUALOUT

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