IRF6629TRPBF参数：MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)产品目录绘图： IRHexfetCircuit设计资源： IRF6629TR1PBFSaberModel IRF6629TR1PBFSpiceModel标准包装：4,800系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：29A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.1毫欧@29A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：51nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4260pF@13V功率-最大值：2.8W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等容MX供应商器件封装：DIRECTFET?MX配用：IRDC3622S-ND-BOARDEVALUATIONW/IR3622MPBFIRDC3622D-ND-BOARDEVALW/IR3622MPBFDUALOUT