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IRF6646TRPBF

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IRF6646TRPBF
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IRF6646TRPBF参数：MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
产品目录绘图： IRHexfetCircuit
设计资源： IRF6646SaberModel IRF6646SpiceModel
标准包装：4,800
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：80V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9.5毫欧@12A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@150µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2060pF@25V
功率-最大值：2.8W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容MN
供应商器件封装：DIRECTFET?MN

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