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IRF6648TR1

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相关型号： IRF6648 IRF6646TRPBF IRF6646TR1PBF IRF6646TR1 IRF6646 IRF6645TRPBF

IRF6648TR1
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IRF6648TR1参数：MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IRHexfetCircuit IRHexfetCircuit
设计资源： IRF6648TR1SaberModel IRF6648TR1SpiceModel
PCNObsolescence： (PMD)LeadedParts25/May/2012
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：86A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7毫欧@17A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@150µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2120pF@25V
功率-最大值：2.8W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容MN
供应商器件封装：DIRECTFET?MN

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