IRF6702M2DTR1PBF参数：MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：1,000系列：HEXFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：15A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.6 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1380pF @ 15V功率 - 最大值：2.7W安装类型：表面贴装封装：DirectFET? 等容 MA供应商器件封装：DIRECTFET? MA
