IRF6706S2TRPBF

IRF6706S2TRPBF
PDF资料下载

IRF6706S2TRPBF参数：MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF6706S2TR1PBFSaberModel IRF6706S2TR1PBFSpiceModel
PCNObsolescence： Gen10.xProducts12/Dec/2012
标准包装：4,800
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：17A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.8毫欧@17A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1810pF@13V
功率-最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容S1
供应商器件封装：DIRECTFETS1