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IRF7503

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IRF7503TR
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IRF7503TR参数：MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNObsolescence： (PMD)LeadedParts25/May/2012
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：135毫欧@1.7A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：210pF@25V
功率-最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）
供应商器件封装：Micro8?

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