IRF7665S2TR

IRF7665S2TR1PBF
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IRF7665S2TR1PBF参数：MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
产品目录绘图： IRHexfetCircuit
设计资源： IRF7665S2TR1PBFSaberModel IRF7665S2TR1PBFSpiceModel
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：62毫欧@8.9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：515pF@25V
功率-最大值：2.4W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等距SB
供应商器件封装：DIRECTFETSB