IRF7807VD1参数：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRF7807VD1SaberModel IRF7807VD1SpiceModel标准包装：95系列：FETKY™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@7A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：-功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO