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IRF830S

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IRF830S
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IRF830S参数：MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(F,L,Z)SeriesSide1 IR(F,L,Z)SeriesSide2
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.5欧姆@2.7A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：38nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：610pF@25V
功率-最大值：74W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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