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IRF9Z30

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IRF9Z30
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IRF9Z30参数：MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：50V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：140 毫欧 @ 9.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：900pF @ 25V
功率 - 最大值：74W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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