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IRF9Z30PBF

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IRF9Z30PBF-BE3

Vishay Silicon..

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Vishay/Silicon..

TO-220-3

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IRF9Z30PBF

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相关型号： IRF9Z30 IRF9Z24STRRPBF IRF9Z24STRR IRF9Z24STRLPBF IRF9Z24STRL IRF9Z24SPBF

IRF9Z30PBF
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IRF9Z30PBF参数：MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(F,L)xSeriesSide1 IR(F,L)xSeriesSide2
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：50V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：140毫欧@9.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：39nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@25V
功率-最大值：74W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

IRF9Z30PBF

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