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IRFB20N50K

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IRFB20N50K 优势库存
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TO-220
2023+
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TO-220
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9000
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TO-220
2023+
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VISHAY
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全新原装，香港现货
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相关型号： IRFB18N50KPBF IRFB18N50K IRFB17N60KPBF IRFB17N60K IRFB17N50LPBF IRFB17N50L

IRFB20N50KPBF
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IRFB20N50KPBF参数：MOSFET N-CH 500V 20A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(F,L)xSeriesSide1 IR(F,L)xSeriesSide2
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：250毫欧@12A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：110nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2870pF@25V
功率-最大值：280W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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