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IRFB42N20D

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IRFB42N20D 优势库存
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TO-220
2023+
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IRFB42N20D 优势库存
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TO220
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TO-220
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品质保证,价格优惠
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相关型号： IRFB4233PBF IRFB4229PBF IRFB4228PBF IRFB4227PBF IRFB4215PBF IRFB4215

IRFB42N20D
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IRFB42N20D参数：MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRFB42N20DSaberModel IRFB42N20DSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：44A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：55毫欧@26A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：140nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3430pF@25V
功率-最大值：2.4W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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