首页 > IC > I-1280页 >

IRFB42N20DPBF

供应查询
您是不是要找：IRFB42N20DPBF-5IRFB4310IRFB4310DBFIRFB4310GPBFIRFB4310PBF
IRFB42N20DPBF
Infineon Techn..
TO-220AB
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
深圳市同亨电子有限公司 VIP会员
电话：18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐
QQ询价
IRFB42N20DPBF
InternationalR..
TO-220-3
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
深圳市科锦电子有限公司 VIP会员
电话：18923786596
联系人：肖小姐
QQ询价
IRFB42N20DPBF
IR
TO-220AB-3P
2023+
4815
全新进口原装现货,保证质量
深圳市迈特新科技有限公司 VIP会员
电话：18922857317
联系人：李先生
QQ询价
IRFB42N20DPBF
INFINEON/IR
TO-220AB
2023+
3,950
全新原装，香港现货
IRFB42N20DPBF
IR
TO-220
2023+
30233
全新原装现货，特价热卖
IRFB42N20DPBF
IR
TO-220-3
2023+
26000
晶体管
IRFB42N20DPBF-5
IR
原装现货
2023+
4500
IRFB42N20DPBF
IR
进口原装 库房现货
2023+
5600
相关型号： IRFB42N20D IRFB4233PBF IRFB4229PBF IRFB4228PBF IRFB4227PBF IRFB4215PBF

IRFB42N20DPBF
PDF资料下载

IRFB42N20DPBF参数：MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRFB42N20DSaberModel IRFB42N20DSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：44A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：55毫欧@26A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：140nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3430pF@25V
功率-最大值：2.4W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

关于我们|联系我们|网站申明|网站地图
© 2010 搜电网