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IRFB5620

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相关型号： IRFB5615PBF IRFB52N15DPBF IRFB4710PBF IRFB4620PBF IRFB4615PBF IRFB4610PBF

IRFB5620PBF
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IRFB5620PBF参数：MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRFB5620PBFSaberModel IRFB5620PBFSpiceModel
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：25A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：72.5毫欧@15A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：38nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1710pF@50V
功率-最大值：144W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

IRFB5620

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