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IRFBE30PBF

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IRFBE30PBF
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IRFBE30PBF参数：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(F,L)xSeriesSide1 IR(F,L)xSeriesSide2
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3欧姆@2.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：78nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1300pF@25V
功率-最大值：125W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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