IRFBE30S

IRFBE30S
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IRFBE30S参数：MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：78nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 25V
功率 - 最大值：125W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK