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IRFD123

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IRFD123 优势库存
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DIP-4
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相关型号： IRFD120PBF IRFD120 IRFD110PBF IRFD110 IRFD024PBF IRFD024

IRFD123PBF
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IRFD123PBF参数：MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(F,L)DSeriesSide1 IR(F,L)DSeriesSide2
标准包装：2,500
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：270毫欧@780mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：360pF@25V
功率-最大值：1.3W
安装类型：通孔
封装：4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

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