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IRFH5304TR

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IRFH5304TR2PBF
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IRFH5304TR2PBF参数：MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRFH5304TR2PBFSaberModel IRFH5304TR2PBFSpiceModel
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：22A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.5毫欧@47A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：41nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2360pF@10V
功率-最大值：3.6W
安装类型：表面贴装
封装：8-VQFN
供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘

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