IRFI530N参数：MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRFI530NSaberModel IRFI530NSpiceModel标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：110毫欧@6.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：44nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：640pF@25V功率-最大值：41W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220AB整包