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IRFI820

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IRFI820G 优势库存
IR
TO220F
2023+
778
原装现货质量保证
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IRFI820GPBF
Vishay Silicon..
TO-220-3
2023+
500
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IRFI820G
IRF
TO-252
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IRFI820GTO220
TO220
2023+
1
品质保证,价格优惠
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IRFI820G
IR
TO-220F
2023+
8000
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IRFI820
IR
TO-220F
2023+
26278
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IRFI820GTO220
TO220
2023+
1279
工厂配单，价格优势
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IRFI820G
IR
TO-220F
2023+
30788
全新原装现货，价格优惠
IRFI820GPBF
IR
进口原装 库房现货
2023+
5600
IRFI820B
Fairchild
TO-262
2023+
13500
低价格.高品质.服务好.现..
IRFI820
Fairchild
TO-262
2023+
13500
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相关型号： IRFI744GPBF IRFI744G IRFI740GPBF IRFI740GLCPBF IRFI740GLC IRFI740G

IRFI820G
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IRFI820G参数：MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(L,F)ISeriesSide1 IR(L,F)ISeriesSide2
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3欧姆@1.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：24nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：360pF@25V
功率-最大值：30W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220-3

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