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IRFIB7N50L

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IRFIB7N50LPBF
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IRFIB7N50LPBF参数：MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(L,F)ISeriesSide1 IR(L,F)ISeriesSide2
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：380毫欧@4.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：92nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2220pF@25V
功率-最大值：46W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220-3

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